這種特殊的光刻膠用于需要負壁輪廓的剝離技術。由酚醛清漆樹脂和萘醌二疊氮化物作為光敏化合物(PAC)組成的正性光致抗蝕劑,它們也能夠反轉(zhuǎn)圖像(IR),從而產(chǎn)生的掩模。
AZ®4500系列
具有最佳粘附力的厚光刻膠
特點:
AZ ® 4500系列(
AZ ® 4533和
AZ ® 4562)是正性厚光刻膠,在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優(yōu)良的粘附性能:
l 優(yōu)化對所有常見基材的附著力
l 寬廣的工藝參數(shù)窗口,可實現(xiàn)穩(wěn)定且可重復的光刻工藝
l 與所有常見的顯影液兼容(基于KOH或TMAH)
l 與所有常見的去膠劑兼容(例如AZ100去膠劑、有機溶劑或堿性溶劑)
l 對g,h和i線敏感(約320-440 nm)
l 光刻膠厚度范圍約 3-30微米
AZ ® 4500系列(
AZ ® 4533和
AZ ® 4562)的溶劑濃度不同,可達到的光刻膠膜厚有較大的范圍:
光刻膠型號 |
光刻膠膜厚范圍 |
包裝規(guī)格 |
AZ ® 4533 |
轉(zhuǎn)速為4000 rpm時,膜厚約為3.3 µm;通過改變轉(zhuǎn)速,膜后可達2.5-5 µm。 |
多規(guī)格包裝,如1L、2.5L等 |
AZ ® 4562 |
轉(zhuǎn)速為4000 rpm時,膜厚約為3.3 µm;通過改變轉(zhuǎn)速,膜后可達4.5-10 µm;調(diào)整旋轉(zhuǎn)輪廓(中等旋涂速度下短時間旋涂),可達30 µm膜厚。 |
多規(guī)格包裝,如1L、2.5L等 |
若光刻膠膜厚度 30 µm?
通常,
AZ®4562可以用來涂覆厚度達30微米及以上。然而,在該厚度范圍內(nèi),軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時。此外,如果涂得太厚,AZ®4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。 因此,對于厚度大于30 µm的光刻膠膜厚度,強烈建議使用化學放大的AZ®40 XT光刻膠。
顯影液——適用于AZ ® 4500光刻膠
如果可以使用含金屬離子的顯影液,可使用1:4稀釋的KOH基AZ®400K作為顯影液(對于更高的光刻膠膜厚度,可用1:3.5 - 1:1的稀釋濃度)。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液,我們建議使用基于TMAH基的AZ®326 MIF,AZ®726 MIF或AZ®826 MIF顯影劑(未稀釋)。
去膠劑——適用于AZ ® 4500光刻膠
對于非交聯(lián)的光刻膠薄膜,可以使用AZ®100作為去膠劑,DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果光刻膠膜已交聯(lián)(例如,在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時,> 140°C的高溫步驟時),我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
產(chǎn)品數(shù)據(jù)表
一般信息
該系列正性光刻膠適用于要求涂層厚度大于3 µm的應用。當使用厚度大于3 µm的標準光刻膠時,所需的曝光能量會急劇增加。這是由于光活性化合物(PAC)在光譜的光化范圍內(nèi)的吸收。因此,隨著膜厚度的增加,必須調(diào)整曝光劑量以在光致抗蝕劑的底部也提供足夠的能量,否則圖案不能被清除。在極端情況下,幾乎不可能正確地曝光抗蝕劑,必須施加高于1000 mJ /cm²的曝光劑量。在這些條件下,還會出現(xiàn)不希望的副作用:光致抗蝕劑表面的劑量變得過高,并導致抗蝕劑發(fā)生交聯(lián)。此效果類似于眾所周知的深紫外硬化,該硬化用于在最高200°C的烘烤后溫度下保持抗蝕劑輪廓。標準抗蝕劑還會在曝光過程中產(chǎn)生過多的氮,這會困在厚層中,不能足夠快地擴散,并可能導致抗蝕劑浮起。
對于AZ 4500系列光刻膠,我們選擇了一種特殊的光敏化合物,該化合物具有低吸收性和較低的氮含量,因此這些光刻膠的使用厚度可達50 µm。 最高粘度的產(chǎn)品AZ 4562允許一步涂(2000 rpm)旋涂10 µm。 對于更高的厚度,必須采用特殊的涂層技術:
- 大約30-40秒的通用旋轉(zhuǎn)時間減少到只有3秒。 以此獲得20 µm,但是必須將基板水平放置在旋轉(zhuǎn)器上一分鐘,以便干燥。
- AZ 4562可以在其間進行多次烘烤循環(huán)涂覆。 由于該抗蝕劑的高固體含量接近溶解極限,因此下層涂料僅會溶解很少。 中間的烘烤溫度不應超過90°C或最終的預烘烤溫度。
當使用高膜厚時,必須遵守一些特殊準則:涂完抗蝕劑后,應將其在室溫下保持至少15分鐘,以使大部分溶劑蒸發(fā),然后將其放入烤箱進行預烘烤。 否則,抗蝕劑表面將很快干燥,殘留在主體中的殘留溶劑可能會形成氣泡并抬起抗蝕劑膜。 結(jié)果是粘合失敗。 使用電爐代替烤箱是更好的選擇,尤其是當溫度上升到最終值時。
高膜厚也必須采用顯影工藝:為此的背景是這樣的事實,即即使是過度曝光的正性光刻膠也只能具有有限的溶解速率。 在大約100 nm / s的值處存在飽和。 為此,建議以約2 µm / min的顯影速度運行。 并調(diào)整曝光劑量以達到適當?shù)那宄Ч吞卣鞒叽纭?br />
該抗蝕劑系列設計用于任何常見的鈉和鉀基顯影劑。 用水稀釋1:4的AZ 351B是不錯的選擇,也可以使用AZ 400K。
該AZ光刻膠由我們獲得專利的更安全的溶劑PGMEA組成。它們是易燃液體,應遠離氧化劑,火花和明火。避免光照和高溫并將其保存在0°C至25°C的密閉原始容器中,超過此范圍(-5°C或+ 30°C)1周不會對性能造成不利影響。