快速退火爐

快速退火爐系統(tǒng)是一個(gè)簡單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng)，適合于廣泛最大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火(RTA)，（如電子級硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等）。
美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的最大尺寸可以達(dá)到200mm，最高溫度可以達(dá)到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，做多可支持4~6路進(jìn)氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
基于PID處理控制器的Solaris GUI可以存儲程序，每套程序可以支持高達(dá)100個(gè)步驟的設(shè)定，帶USB2.0的接口。包含Solaris GUI 軟件，與微軟Windows操作系統(tǒng)兼容。通過該軟件，通過鏈接電腦可以非常方便地實(shí)現(xiàn)程序編輯以及數(shù)據(jù)記錄。
 
技術(shù)規(guī)格：
- 最高溫度：1200攝氏度；
- 升溫速率：150攝氏度/秒；
- 溫控均勻性：±2.5℃設(shè)定溫度；
- 加熱方式：紅外鹵素?zé)�，頂部及底部區(qū)域加熱；
- 處理時(shí)間：0.1秒至無限時(shí)間；
- 燈管數(shù)量及功率：13支，
- 腔體冷卻：風(fēng)冷方式；
- 襯底冷卻：氮?dú)獯祾撸?br /> - 工藝氣路：MFC控制，最多6路 (氮?dú)�、氬氣、氧氣、氫氮混合氣�?；

 
應(yīng)用領(lǐng)域：
快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);
快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
硅化 (Silicidation);
擴(kuò)散 (Diffusion);
化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅(jiān)化 (Crystallization and Densification);