原子層沉積ALD在OLED方面的應(yīng)用

        隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，電致發(fā)光器件(Light Emitting Diode，LED)已成為當(dāng)前極具發(fā)展前景的顯示，有著傳統(tǒng)顯示技術(shù)不可比擬的優(yōu)勢。其中有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode, OLED)因其輕薄、視角廣、響應(yīng)時間短、發(fā)光效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)成為公認(rèn)的新一代顯示技術(shù)。但是OLED器件對水和空氣極為敏感，為保證OLED器件的壽命，通常要求封裝材料的水汽透過率(WVTR)小于10^-6 g/(m²·day)。

     傳統(tǒng)的OLED封裝技術(shù)通常利用厚膜，甚至高分子聚合物/玻璃進(jìn)行封裝，以達(dá)到預(yù)期的阻隔性能。這些傳統(tǒng)的封裝技術(shù)導(dǎo)致OLED保護(hù)層厚度增加，從而導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度減弱。厚膜還會增加顯示器件的硬度，不適合用于彎曲或者折疊的顯示器。

      原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技術(shù)是一種原子尺度的薄膜制備技術(shù)，沉積的薄膜均勻性好、材料致密、厚度精確可控且工藝溫度適中，是超高阻隔膜的理想制備方法，可完美兼容OLED器件的封裝，大大延長其壽命。

      幾十納米厚度的ALD封裝膜甚至可媲美傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)的阻隔效果，同時具有良好的透光率、熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕性及與基底的粘結(jié)性等性質(zhì)；ALD封裝薄膜因其納米級的膜厚，可以實(shí)現(xiàn)很大程度上的彎曲并保持封裝效果不變，這一特性可完美兼容柔性O(shè)LED器件封裝，真正做到顯示屏的可折疊、卷曲；ALD薄膜優(yōu)異的保型性使其在一些復(fù)雜形貌和三維納米結(jié)構(gòu)的LED表面實(shí)現(xiàn)出色的鈍化保護(hù)層，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉積鈍化膜還可以很好地修補(bǔ)被等離子刻蝕造成的破壞性表面，可有效降低漏電流，顯著提高LED效率。
 

圖一：在ITO-聚酯膜上制備的柔性O(shè)LED顯示單元
 

圖二：OLED封裝類型及不同柔性需求對應(yīng)的水汽透過率