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使用TOF-SIMS進(jìn)行材料研究

瀏覽次數(shù):506 發(fā)布日期:2024-8-13  來源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)

靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),能在只消耗樣品單層一小部分的情況下獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層這對于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。

 

Kore公司的TOF-SIMS SurfaceSeer系列產(chǎn)品為科研和工業(yè)領(lǐng)域提供了高性價比的表面分析解決方案。以下數(shù)據(jù)展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優(yōu)勢。

 

實(shí)驗(yàn)

質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確性

 

圖1. 污染鋁接頭

 

近來,儀器的質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確度均已經(jīng)提高到2000(M /ΔM)以上。上圖展示了從一個污染鋁探針采集的光譜數(shù)據(jù),顯示出有機(jī)和無機(jī)污染物。在預(yù)期的準(zhǔn)確質(zhì)量處標(biāo)有刻度,可以清晰地觀察到每種物質(zhì)的測量峰值。
 

下圖是一臺較舊儀器的數(shù)據(jù),展示了各種不同的應(yīng)用。

 


圖2. 被銅,鐵和鉻污染的硅片

上述質(zhì)譜圖顯示,在硅片表面有銅、鐵和鉻污染(約為2 x 10 12原子/cm2,相當(dāng)于千分之一單層覆蓋)。質(zhì)量范圍在50至71之間,質(zhì)量分辨率(M/ΔM)大于1000,這樣就可以把金屬和烴類物質(zhì)在相同名義質(zhì)量下分開。精確的質(zhì)量測定能更有信心地進(jìn)行峰值分配。例如,62.94對應(yīng)一個單峰,代表63Cu同位素,其確切質(zhì)量為62.94。質(zhì)量65處有個雙重峰, 主要來源于64.95的質(zhì)量, 這是65 Cu同位素,其確切質(zhì)量是64.93。通常情況下, 質(zhì)量精度應(yīng)≥20毫道爾頓單位以上。當(dāng)質(zhì)量為55時,出現(xiàn)一個單峰,其質(zhì)量“過剩”為0.06道爾頓單位,代表化合物C4H7,其精確質(zhì)量為55.055。再增加一個道爾頓單位后,主峰位于55.94,對應(yīng)于56Fe元素,其精確質(zhì)量為55.935。在質(zhì)量為52時,則呈現(xiàn)雙峰結(jié)構(gòu),其中一個峰位于51.94,另一個位于52.04。它們分別對應(yīng)于52Cr(其質(zhì)量為51.94)和C4H4(其質(zhì)量為52.03)。

 

靈敏度

在五分鐘的采集時間內(nèi),SurfaceSeer對已知表面濃度為2 x 1012 atoms/cm2 的銅樣品進(jìn)行記錄,計數(shù)超過26,000個,檢出限約為2×109 atoms/cm2。

 

質(zhì)量范圍

盡管該系統(tǒng)未配備后加速檢測器,但它能夠測量出過去的1000 個質(zhì)荷比(只要離子是由SIMS過程產(chǎn)生的)。以下是一些示例:

 

圖3. 正離子SIMS中的銫碘化物團(tuán)簇

 

圖4. 負(fù)離子SIMS中的鉬氧化物團(tuán)簇(MoO33

 

圖5. 結(jié)晶紫的完整質(zhì)譜圖,其中M-Cl+峰位于質(zhì)量為373

 

絕緣分析

對絕緣樣品進(jìn)行SIMS分析相對簡單,適用于各種類型的絕緣樣品。在TOF周期內(nèi),會施加低能電子脈沖到樣品上,以防止電荷積累。

 

圖6. 雙面Scotch 膠帶的正離子SIMS譜圖

該膠帶十分清潔,不含有硅氧烷污染物。請留意表面上的鋰元素(在正確的同位素比率下,質(zhì)量數(shù)為6和7)

 

圖7. 通用雙面膠帶的正離子SIMS譜圖

相對而言,這種通用型雙面膠呈現(xiàn)出典型的硅氧烷表面污染跡象:28、43、73和147的峰值高于正常水平。

 

圖8. 通用雙面膠帶的正離子SIMS譜圖

如果我們將焦點(diǎn)放大到質(zhì)量數(shù)為28的物質(zhì)上,我們會看到它是一個分裂的峰;較低質(zhì)量的峰是硅28,較高的質(zhì)量峰是C2H4。通過檢測硅原子以及其他來自PDMS的特征峰,可以確認(rèn)硅氧烷的存在。這條信息是要避免使用廉價的通用雙面膠產(chǎn)品,而要使用Scotch品牌的產(chǎn)品,它們非常干凈,適合在SIMS中固定樣品。

 

圖9. 通用雙面膠的負(fù)離子SIMS譜圖

負(fù)離子SIMS譜圖同樣顯示了硅氧烷在28(Si),59(CH3SiO),60(SiO2 ),149(CH3 )3 Si-O-SiO2 和165 處出現(xiàn)的特征峰。

 

在下一個例子中,我們觀察到來自未印刷紙張(藍(lán)色軌跡)和帶有墨印的同一張紙(紅色軌跡)的質(zhì)譜數(shù)據(jù)。未印刷的紙張在質(zhì)量39.96處呈現(xiàn)特征峰,是由于紙張表面通常含有高嶺土,即鈣質(zhì)(極白的紙張含有很高的高土)。一旦紙張被印刷,覆蓋層會掩蓋Ca峰。相反,由于存在有機(jī)基墨,烴類峰的強(qiáng)度增加。

 

圖10. 紙張的正離子SIMS光譜

 

最后是幾個相對純的聚合物樣本

 


圖11. PET的正離子SIMS光譜

PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的正離子SIMS光譜。在104 / 105、149和191/193處觀察到特征峰。

 

圖12. PTFE的正離子SIMS光譜(對數(shù)標(biāo)度)

PTFE膠帶的正離子SIMS質(zhì)譜圖顯示了直至質(zhì)量531的特征離子。所有這些峰都可分配給各種CxFy 組合。請注意,為了適應(yīng)較大的動態(tài)范圍,使用了對數(shù)標(biāo)度。

 

 

來源:那諾中國有限公司
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