QCM-D和傳統(tǒng)QCM的區(qū)別

​​QCM-D和傳統(tǒng)QCM的區(qū)別

關(guān)于探測表面敏感度的技術(shù)，你經(jīng)常會遇到QCM實時檢測的方法。QCM這三個字母是石英晶體微天平的縮寫，是針對檢測非常小物質(zhì)質(zhì)量的天平。如果你關(guān)注更多儀器方面的知識，你可能已經(jīng)注意到，QCM系列有許多類型，如QCM-D。那么他們之間的區(qū)別又是什么呢？不同于傳統(tǒng)的QCM，QCM-D中添加一個額外的參數(shù)D是耗散因子。耗散因子提供了芯片表面吸附層的軟硬度的實時信息，也被稱為粘彈性。這意味著，QCM-D能夠比傳統(tǒng)的QCM提供更多關(guān)于研究系統(tǒng)的信息。

1. 什么是耗散？
    

QCM-D測量耗散，但這個參數(shù)是什么，它是由什么組成的，它意味著什么？有時耗散也被稱為振蕩中的芯片的阻尼。耗散的嚴(yán)格定義是每個振蕩周期內(nèi)系統(tǒng)能量損失的總和。如果用一個方程來描述，它可以寫成1/Q，其中Q是所用振蕩器的品質(zhì)因子。定義耗散的另一種方法是用每個振蕩周期的能量損耗除以系統(tǒng)中的總能量。

說了這么多概念性的東西，但這與實際實驗有什么關(guān)系呢？如前所述，耗散與芯片表面吸附層的軟硬度有關(guān)。一個剛性材料沉積在芯片表面將跟隨芯片一起振動而不發(fā)生形變。在這種情況下，剛性材料不會抑制振蕩，檢測到的耗散值將是低的。而另一方面，軟薄膜將不能完全跟隨芯片一起振動。這意味著它將在測試過程中發(fā)生形變。軟薄膜會抑制振蕩并產(chǎn)生高的耗散。因此，耗散參數(shù)提供了芯片表面所沉積薄膜的軟硬度或粘彈性的實時性質(zhì)，這使得監(jiān)測構(gòu)象變化成為可能。

2. 為什么測量能量耗散是很重要的？
 

盡可能多收集正在研究的系統(tǒng)的相關(guān)信息當(dāng)然是有利的，但耗散信息真的是必須的么？

耗散參數(shù)有三個重要方面：

第一，耗散揭示了研究的系統(tǒng)隨時間定性變化的關(guān)系。

其次，它提供了吸附物質(zhì)的關(guān)鍵信息，如量化的質(zhì)量，厚度和粘彈性性能。

第三，耗散揭示了一個粘彈性或剛性薄膜的模型是否應(yīng)該使用。剛性膜的質(zhì)量可以使用Sauerbrey方程計算，只需要輸入一個單一的諧波共振頻率；多參數(shù)擬合需要至少一段時間F和D值相對于時間的變化。一般來說倍頻越多擬合結(jié)果就越好。

更深入地討論剛才說到的第一點，即對所研究系統(tǒng)的時間分辨行為進(jìn)行定性了解，耗散參數(shù)將從收集到的倍頻頻率中補(bǔ)充吸附物質(zhì)的信息。同時捕捉到的兩個參數(shù)F和D將繪制吸附物質(zhì)在表面上排列的狀態(tài)，以及排列如何隨時間變化；一個QCM芯片的頻率響應(yīng)反映了它表面上耦合質(zhì)量的變化，包括被困在分子層間的溶劑的質(zhì)量。耗散反映了薄膜的軟硬度。監(jiān)測這兩個作為時間函數(shù)的參數(shù)，即可對分子是否平躺在表面（剛性膜和水合程度低）；或是伸展構(gòu)型（軟膜和水合程度高）；以及如果有重排，例如溶脹（從平躺到延伸）或塌縮（從延伸到平躺）等這些變化進(jìn)行檢測。

3. QCM-D優(yōu)于QCM的三點
 

綜上所述，相比于傳統(tǒng)的QCM，耗散參數(shù)提供了三個重要的優(yōu)勢：

1.  它定性提供了與吸附物質(zhì)薄膜的軟硬度相關(guān)的信息和軟硬度隨時間變化的信息。

2.  它提供了量化模型的關(guān)鍵信息。

3.  它提供了粘彈性膜的模型基本要素。

D值還能幫助你對你的實驗的理解帶來了什么額外的信息？你能全面地了解正在研究的系統(tǒng)中薄膜的溶劑含量、納米結(jié)構(gòu)或排列方式嗎？探索耗散的潛能并在下面的評論中分享你的故事和問題。

4. 下面是來自我們的一位用戶的評價：

“I can tell you that for every electron moved, this amount of mass changed. That’s powerful. You can’t really get that with any other system.”

Jodie Lutkenhaus, Associate Professor, Texas A&M University