陰極發(fā)光設備（SEM-CL）在量子異質結構方面的應用

       20世紀下半葉見證了半導體量子結構的出現(xiàn)，這是由于半導體量子結構在發(fā)光方面的卓越性能。將維數(shù)降為點狀量子點(QDs)，量子點與原子表現(xiàn)出有趣的相似之處，人們付出了巨大的努力來評估它們的性質。

       考慮到光和納米線之間的強相互作用，嵌入在被稱為納米線(NWs)的絲狀晶體中的量子點的生長變得相關。NWs中的量子點尤其有望成為量子技術的關鍵要素，如量子通信和密碼學。然而，量子點(約5-10 nm)和量子點的維數(shù)都降低了(直徑約100 - 200nm)會使量子點性質的測量變得非常復雜。特別是，由于衍射的限制，很難用全光學測量來評估緊密放置點之間的絕對量子點位置和分辨率。

       這一限制可以通過陰極熒光測量來克服，這使得研究量子點的位置和它們的外觀取決于宿主NW的性質成為可能。對于我們的結構，由砷化鎵和砷化鎵構成，Attolight CL-SEM允許我們在低溫下工作，這是觀測量子點發(fā)光的必要條件。

      此外，與傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，Attolight陰極熒光掃描電鏡的優(yōu)點如下:1、大的數(shù)值孔徑確保了非常高的信噪比，從而縮短了量子點對電子束的暴露時間，從而降低了漂白的風險，并加快了實驗速度。2、原子力顯微鏡(AFM)可以掃描大面積，分辨率很高。不幸的是，AFM測量通常是耗時的，只能探測隱藏的缺陷。3、更高的信號允許直接使用光譜- ccd檢測通道，而不需要光電倍增管，直接產(chǎn)生快速的高光譜映射。然后捕獲寬發(fā)射光譜范圍(在我們的情況下從650 nm到900 nm)。4、空間分辨率允許解析靠近的點以及局部特征，如基質晶體相的變化。

      綜上所述，Attolight系統(tǒng)可以提供關于量子點和矩陣的信息，這些信息不能通過其他方式獲得，除非付出極大的努力和妥協(xié)。