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粉末原子層沉積的應(yīng)用領(lǐng)域

瀏覽次數(shù):664 發(fā)布日期:2023-12-25  來源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)
       粉末技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展,已經(jīng)形成多樣化的制備及加工技術(shù)。其中,表面包覆技術(shù)作為提升粉末物理化學(xué)性能的重要手段,長期以來一直缺乏有效的精密手段。與傳統(tǒng)的表面改性不同,粉末原子層沉積技術(shù)PALD 是真正可以實現(xiàn)原子級/分子層級控制精度的粉末涂層技術(shù),并保持良好的共形性。低成本的規(guī);勰┰訉映练e包覆技術(shù),目前已廣泛應(yīng)用于鋰電、催化、金屬、制藥等領(lǐng)域。

1.鋰電電極材料包覆
電池⼯作時,內(nèi)部產(chǎn)⽣的有害反應(yīng)如過渡⾦屬溶解、鋰損失和固體電解質(zhì)膜(SEI)過度生⻓,會導(dǎo)致電池性能下降,甚⾄帶來安全隱患。
原⼦層沉積(ALD)⼯藝可應(yīng)⽤于多種正負(fù)極粉末材料、固態(tài)電解質(zhì)和隔膜等,具有提高電池性能、延⻓電池周期壽命、減少⽓體⽣成、減緩鋰不可逆損耗和⾼電壓、⼯作穩(wěn)定性等優(yōu)勢。


2.提升催化劑性能
通過粉末原子層沉積PALD 技術(shù),可以實現(xiàn)催化劑粉末材料表⾯的涂層或活性位點制備。⽆論是在化⼯品催化或典型的制氫 / 燃料電池中以及納⽶級催化劑存在燒結(jié)或者浸出問題,使⽤ ALD 技術(shù)都可以在典型的如 Pd / Al2O3 催化劑表⾯構(gòu)筑涂層,可避免催化劑的燒結(jié)與浸出,從⽽使實現(xiàn)穩(wěn)定的芳烴氫化反應(yīng)。


3.金屬粉末
金屬粉末在包括粉末冶金,光伏,MLCC 漿料等領(lǐng)域都有較多應(yīng)用。原⼦層沉積技術(shù)為 ⾦屬/陶瓷粉末原料提供了多種改進⽅案:粉末流動性、防潮/抗氧化性、燒結(jié)改善界⾯、減少夾雜物。


4.制藥粉末包覆
制藥⾏業(yè)依賴于對活性藥物成分 (API) 以及各種輔藥在內(nèi)的藥物粉末進⾏加⼯。藥物粉末被加⼯成㬵囊,⽚劑、丸劑、吸⼊劑或眼科治療劑(滴眼液)。由于藥粉多為有機固體,其流動性、潤濕性、壓實性和分散性較差,精確劑量的藥粉制造⼯藝既昂貴⼜耗時。通過粉末原子層沉積 PALD 技術(shù)可以改善粉末的流動性、壓實性和顆粒分散性。

來源:北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司
聯(lián)系電話:010-64415767,010-64448295
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標(biāo)簽: 原子層沉積 ALD
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