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TLR9炎癥信號與DNA損傷免疫引起的記憶機制及應用前景

瀏覽次數(shù):488 發(fā)布日期:2024-5-21  來源:MedChemExpress (MCE)

誰能想到,讓我們記住那些美好童年回憶和復雜的數(shù)學公式的竟然是一種類似于"發(fā)炎"的過程和 DNA 損傷嗎?頂尖期刊 Nature 上最近發(fā)表的一項研究表明,長期記憶儲存依賴于"大腦炎癥"和 DNA 損傷。是的,你沒有看錯!這種應對逆境的生物反應正是鍛造我們記憶力的關鍵工具。這兩個看似不合群的角色——神經(jīng)"發(fā)炎"和 DNA 損傷是如何共同塑造我們的長期記憶存儲的呢?快來隨小 M 一起來看看吧~


聽到 “發(fā)炎” 和 “DNA 損傷”,可能首先想到的是疾病或損傷,但在我們的大腦中,這兩個過程卻是形成長期記憶的關鍵步驟,與我們大腦中一種名為海馬神經(jīng)元的特殊細胞有關。

這些神經(jīng)元如同建筑師一般,將各種信息組裝成微電路,存儲我們生活中的各種瞬間。然而,這個過程并非毫無 “代價”,大腦中的海馬神經(jīng)元會經(jīng)歷一個能量密集的過程,此時神經(jīng)元的 DNA 雙鏈會暫時發(fā)生斷裂 (DNA double strand breaks, DSBs),并涉及一種叫做 TLR9 信號分子的激活。這個過程就像是神經(jīng)元的一次小型“發(fā)炎”,為記憶儲存打下了堅實的基礎[1]
DNA 雙鏈斷裂與 DNA 修復被認為是神經(jīng)可塑性 (Neuroplasticity) 的基礎,神經(jīng)可塑性對于學習和記憶等認知過程以及大腦發(fā)育、感覺訓練和大腦損傷的恢復至關重要[2]。

圖 1. 神經(jīng)可塑性與 DNA 損傷和修復之間相互作用的簡化模型[2]。  

突觸處 NMDA/AMPA 受體的激活會誘導 SSB 或 DSB,并分別通過 BER 或 NHEJ 促進其修復。反之,DNA 損傷和修復會改變這些受體的表達和活性,從而調(diào)節(jié)神經(jīng)元基因表達,導致可塑性發(fā)生變化。SSB:單鏈 DNA 斷裂; DSB: 雙鏈 DNA 斷裂。BER: 堿基切除修復; NHEJ: 非同源末端連接。



近期,發(fā)表于 Nature 的一項研究發(fā)現(xiàn),在長時間學習后,興奮性海馬 CA1 神經(jīng)元出現(xiàn)了雙鏈 DNA (dsDNA) 斷裂、核膜破裂以及釋放組蛋白和 dsDNA 片段等一系列現(xiàn)象。這些早期事件之后,一些神經(jīng)元開始表現(xiàn)出炎癥表型,涉及到 TLR9 的信號通道的激活,同時也出現(xiàn)了 DNA 損傷修復復合物的積累。如果 TLR9 功能受損,基本的記憶機制可能會變?yōu)榛蚪M不穩(wěn)定和認知障礙的開端,與加速衰老、精神疾病和神經(jīng)退行性疾病有關。

TLR9 參與的關鍵作用:負責 DNA 的損傷修復,參與纖毛的生成和周圍神經(jīng)元網(wǎng)的建立。

▐  免疫應答基因 (TLR9) 在記憶形成中的關鍵作用
作者首先對背側海馬神經(jīng)元的轉錄譜進行了深入分析,發(fā)現(xiàn)在情境恐懼調(diào)節(jié)(Contextual fear conditioning, CFC) 后 96 小時或 21 天內(nèi),基因表達譜與遠程記憶的差異顯著。研究人員觀察到大多數(shù)差異表達基因是參與核酸感應和細胞因子釋放的免疫應答基因 (圖 2A)。

在免疫應答基因中,TLR9 及其下游 NF-κB 信號通路最為突出,并觀察到 TLR9 基因和蛋白水平的上調(diào),以及 TLR9 與晚期內(nèi)體 (Endosomes) 和溶酶體標志物 LAMP2 的共定位增加 (圖 2B),說明 TLR9 向內(nèi)體的運輸增強,有助于 DNA 識別和 NF-κB 激活。這些發(fā)現(xiàn)揭示了免疫應答基因在記憶形成中的關鍵作用。

圖 2. CFC 后的基因表達譜圖及 TLR9 蛋白水平,TLR9/LAMP2 在不同時間的共定位[3]。

 

A. 與 CFC 后 21 天相比,Bulk RNA-seq 顯示 CFC 后 96 小時獲得的小鼠海馬中 441 個基因的表達增加;鹕綀D顯示與炎癥和 TLR 信號傳導相關的基因表達顯著增加。B. TLR9 蛋白水平以及 TLR9 與 LAMP2 在 CFC 后不同時間的共定位。LAMP2 水平無波動,TLR9 水平及其與 LAMP2 的共定位在 CFC 后 6 小時增加,96 小時后達到峰值。


▐  CFC 觸發(fā) dsDNA 斷裂和 DNA 損傷修復 (DDR)
研究人員使用 dsDNA 斷裂結合磷酸組蛋白 γH2AX 特異性抗體進行免疫熒光標記,發(fā)現(xiàn) CFC 后的 1 小時和 3 小時內(nèi),部分神經(jīng)元中 dsDNA 斷裂的數(shù)量顯著增加,并且具有神經(jīng)元特異性。雖然隨后核病灶的數(shù)量減少,但在單個神經(jīng)元內(nèi)出現(xiàn)了更大的 γH2AX 標記病灶 (圖 3A-B),且核周 γH2AX 信號與 TLR9 信號存在共定位 (圖 3C)。

這些發(fā)現(xiàn)表明,在一些神經(jīng)元中單獨的 γH2AX 和 dsDNA 或復合物的形式從細胞核中含有 TLR9 的核周位點釋放出來。另一方面,研究發(fā)現(xiàn) γH2AX 信號與炎癥信號傳導有關,如其與 RELA (最豐富的 NF-κB 家族成員,在激活后易位至細胞核) 存在高度共定位。這些發(fā)現(xiàn)表明,記憶形成過程中的神經(jīng)元活動可能會引發(fā) DNA 損傷,并啟動 DNA 修復機制。

圖 3. CFC 后的 DNA 損傷和 DDR (DNA 損傷修復)[3]。

 

A. CFC 之后 γH2AX 點狀的神經(jīng)元數(shù)和 γH2AX 病灶大小。B. γH2AX 相對于星形膠質(zhì)細胞和小膠質(zhì)細胞在神經(jīng)元中的定位。C. 核外 γH2AX 與 TLR9 共定位。



▐  CA1 神經(jīng)元中的 TLR9 是情景記憶所必需的
炎癥反應是學習-誘導的 DNA 損傷的副作用還是有助于記憶的形成?作者通過在背側海馬 CA1 區(qū)域的神經(jīng)元中特異性敲除 TLR9,發(fā)現(xiàn)敲除后的小鼠顯示出受損的情景記憶,即凍結行為 (Freezing Behaviour, 指動物對特定刺激的反應,動物會激活不同性質(zhì)的防御模式,包括凍結和主動的戰(zhàn)斗或逃跑反應。凍結是一種行為抑制形式,伴隨著副交感神經(jīng)主導的心率減慢) 顯著減少 (圖 4A),且星形膠質(zhì)細胞和小膠質(zhì)細胞的敲除并未影響記憶缺陷,這也與先前的發(fā)現(xiàn)一致。同時,TLR9 拮抗劑 ODN2088  顯著損害 CFC,而 cGAS-STING 抑制劑 RU-521  和 H-151  則無效 (圖 4B)。此外,TLR9 敲低也破壞了 CFC 誘導的基因表達。以上結果證明了神經(jīng)元特異性 TLR9 介導的 dsDNA 傳感在情境記憶的形成和持久中的作用。

4. 海馬 TLR9 神經(jīng)元特異性缺失后情境記憶受損[3]。

A. 與注射 Syn-GFP 的對照組相比,在海馬內(nèi)注射 Syn-cre 的 TLR9fl/fl 小鼠的情景測試中,凍結持續(xù)減少。B. ODN2088 對 TLR9 的藥理抑制作用對 CFC 造成劑量依賴性損害。

此外,作者通過實驗觀察 WT 和 TLR9fl/fl 小鼠海馬部位,發(fā)現(xiàn)神經(jīng)元中的 dsDNA 斷裂數(shù)量顯著增加。TLR9 的缺失破壞了核和中心體 DDR,使得在 CFC 時,CA1 神經(jīng)元無法招募 DDR 復合物或形成纖毛和 PNNs,證實了 TLR9 在 DDR、纖毛形成和神經(jīng)周圍網(wǎng) (Perineuronal nets, PNN) 積累中的作用。

今天小 M 和大家一起了解到,通過學習誘導的 TLR9 信號傳導,神經(jīng)元將 DNA 損傷與 DDR 聯(lián)系起來,對記憶的穩(wěn)定性和持久性起關鍵作用。TLR9 激活可能由 γH2AX 和 dsDNA 片段觸發(fā)。TLR9 參與了 DNA 傳感,而不是 CFC 中更為傳統(tǒng)的 cGAS-STING 路徑,提示神經(jīng)元采用了基于免疫的記憶機制。因此,保持 TLR9 炎癥信號傳導的完整性成為神經(jīng)認知缺陷的有前途的預防策略,或許可以為衰老、精神疾病和神經(jīng)退行性等疾病提供一些新見解~

 


PLX5622

口服 CSF1R 抑制劑,能透過血腦屏障的、小膠質(zhì)細胞清除劑。
PLX5622 in AIN-76A Diet
PLX5622 飼料形式,1200 ppm 
ODN 2088
TLR3,TLR7 和 TLR9 抑制劑 
RU.521
cGAS 抑制劑 
H-151
選擇性和共價的 sting 拮抗劑,可用于自身免疫性疾病的研究。
γH2AX antibody
用于 WB, ICC/IF



[1] Madabhushi R, et al. Activity-Induced DNA Breaks Govern the Expression of Neuronal Early-Response Genes. Cell. 2015 Jun 18;161(7):1592-605. 

[2] Konopka A, et al. The Role of DNA Damage in Neural Plasticity in Physiology and Neurodegeneration. Front Cell Neurosci. 2022 Jun 23;16:836885.

[3] Jovasevic V, et al. Formation of memory assemblies through the DNA-sensing TLR9 pathway. Nature. 2024 Apr;628(8006):145-153. 

來源:上海皓元生物醫(yī)藥科技有限公司
聯(lián)系電話:021-58955995
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