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二次離子質(zhì)譜儀不同質(zhì)量分析器的區(qū)別

瀏覽次數(shù):69 發(fā)布日期:2024-9-13  來(lái)源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)

二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù),利用化合物的離子化過(guò)程及其質(zhì)量分析,以確定待測(cè)化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分,通過(guò)將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離,并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸出至檢測(cè)器,在此被探測(cè)并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。
簡(jiǎn)介
在質(zhì)譜分析中,有三種常見(jiàn)的質(zhì)譜儀離子分析器可用于離子的分離。

  1. 四極桿質(zhì)譜儀

  2. 飛行時(shí)間質(zhì)譜儀

  3. 磁扇形質(zhì)量分析儀


四極桿質(zhì)譜儀
直流偏壓會(huì)使所有帶電分子加速并遠(yuǎn)離中心線,其速度與它們的電荷與質(zhì)量比成正比。當(dāng)這些分子的軌跡偏離過(guò)大時(shí),它們將撞擊金屬棒或容器的側(cè)壁并被吸收。因此,直流偏壓的作用類似于質(zhì)譜儀中的磁場(chǎng)B,可以調(diào)節(jié)以使特定電荷與質(zhì)量比的分子有效地撞擊檢測(cè)器。

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圖1. 四極桿

兩個(gè)相互垂直的正弦電場(chǎng),其夾角為90度,相位差亦為90度,將產(chǎn)生一個(gè)隨時(shí)間振蕩的電場(chǎng),形成一個(gè)圓形波動(dòng)。因此,當(dāng)帶電粒子向下飛向探測(cè)器時(shí),它們將沿著螺旋軌跡運(yùn)動(dòng),螺旋的直徑由分子的電荷與質(zhì)量比以及電場(chǎng)的頻率和強(qiáng)度所決定。通過(guò)結(jié)合直流偏置與旋轉(zhuǎn)電場(chǎng),使得帶電粒子能夠沿著彎曲的螺旋軌跡飛行。通過(guò)確定彎曲螺旋的峰值與四極場(chǎng)結(jié)束時(shí)探測(cè)器的位置時(shí)間一致,可獲得對(duì)分子電荷與質(zhì)量比的ji高選擇性。
飛行時(shí)間質(zhì)譜儀
TOF分析儀通過(guò)時(shí)間分離離子,而不依賴于電場(chǎng)或磁場(chǎng)。從宏觀角度來(lái)看,TOF與色譜法相似,但不同于傳統(tǒng)的固定相和流動(dòng)相,其分離機(jī)制基于離子的動(dòng)能和速度。

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圖2.飛行時(shí)間質(zhì)譜系統(tǒng)
隨著時(shí)間推移,源處生成的離子被有效分離


同種電荷的離子具有相同的動(dòng)能;在飛行管中,離子的動(dòng)能等于其從離子源發(fā)射時(shí)所具備的動(dòng)能。

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飛行時(shí)間是指離子從飛行管一端到達(dá)另一端所需的時(shí)間:

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L代表飛行管長(zhǎng)度
v代表離子速度
將方程1代入方程2中的動(dòng)能項(xiàng),可得到飛行時(shí)間方程:

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在分析過(guò)程中,我們保持離子源電壓V和管子長(zhǎng)度L不變,這可以用來(lái)說(shuō)明飛行時(shí)間與電荷質(zhì)量比的平方根成正比。
不幸的是,在較高的質(zhì)量數(shù)下,分辨率的實(shí)現(xiàn)變得相對(duì)困難,因?yàn)轱w行時(shí)間延長(zhǎng)。此外,并非所有具有相同質(zhì)荷比的離子在較高質(zhì)量數(shù)條件下都能達(dá)到理想的TOF速度。為了解決這一問(wèn)題,通常會(huì)在分析儀中引入反射器。反射器由一系列置于飛行管末端的高電壓環(huán)形電極構(gòu)成。當(dāng)離子進(jìn)入反射器時(shí),由于施加了高電壓,它們將朝相反方向進(jìn)行反射。通過(guò)縮小單個(gè)質(zhì)荷比所對(duì)應(yīng)的飛行時(shí)間寬帶范圍,反射器顯著提高了分辨率。速度較快的離子進(jìn)入反射器的距離更遠(yuǎn),速度較慢的離子進(jìn)入反射器的距離較短。因此,相同質(zhì)荷比下的慢速和快速離子能夠同時(shí)到達(dá)檢測(cè)器,從而減少輸出信號(hào)帶寬。

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圖3. 反射圖及反射器圖片

 

附著于反射器飛行管(左側(cè))的離子鏡(右側(cè))。施加在金屬板堆棧上的電壓將產(chǎn)生反射離子,返回至飛行管的電場(chǎng)。在此特定設(shè)計(jì)中,鏡電極之間的間隙很大,這可能導(dǎo)致由于包裹真空管的金屬表面靠近而引起鏡內(nèi)電場(chǎng)的扭曲。(來(lái)源:維基百科)
磁扇形質(zhì)量分析儀
與前述的飛行時(shí)間(TOF)分析儀相似,磁性扇區(qū)分析儀中,離子通過(guò)飛行管被加速,并依據(jù)其電荷與質(zhì)量比進(jìn)行分離。磁性扇區(qū)分析儀與TOF的主要區(qū)別在于,它利用磁場(chǎng)對(duì)離子進(jìn)行分離。當(dāng)帶電粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)沿著施加磁場(chǎng)的垂直方向偏轉(zhuǎn)至特定的圓形軌道。在磁場(chǎng)中,離子受到兩個(gè)相等的力的作用:即磁場(chǎng)力和向心力。

638617598923702119187.png (4)


接下來(lái),我們可以對(duì)上述方程進(jìn)行重新排列,以得出以下結(jié)果:

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若將該方程代入動(dòng)能公式中:

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圖4. 磁扇形質(zhì)量分析儀

基本上,具有特定質(zhì)荷比(m/z)的離子將展現(xiàn)出獨(dú)te的路徑半徑。在保持加速區(qū)域的磁場(chǎng)強(qiáng)度B和電壓差V不變的情況下,可以精確確定該半徑。當(dāng)類似的離子穿過(guò)磁場(chǎng)時(shí),它們會(huì)被偏轉(zhuǎn)至相同角度,并沿著一致的軌跡行進(jìn)。那些未被選中的離子,將因與飛行管兩側(cè)發(fā)生碰撞或無(wú)法通過(guò)狹縫到達(dá)檢測(cè)器而被排除。磁性扇形分析器用于質(zhì)量聚焦,其功能在于實(shí)現(xiàn)角向分散。

 

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