English | 中文版 | 手機(jī)版 企業(yè)登錄 | 個(gè)人登錄 | 郵件訂閱
當(dāng)前位置 > 首頁(yè) > 技術(shù)文章 > 掃描電鏡在陶瓷基復(fù)合材料中的應(yīng)用

掃描電鏡在陶瓷基復(fù)合材料中的應(yīng)用

瀏覽次數(shù):367 發(fā)布日期:2023-11-15  來(lái)源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)
掃描電鏡在陶瓷基復(fù)合材料中的應(yīng)用
掃描電鏡作為一種先進(jìn)的顯微鏡技術(shù),在材料科學(xué)領(lǐng)域中展現(xiàn)了無(wú)限的可能性。特別是在陶瓷基復(fù)合材料的研究中,不僅帶來(lái)了豐富的信息,還揭開了該領(lǐng)域的未知領(lǐng)域,為科學(xué)家們提供了新的突破口。

首先,掃描電鏡在陶瓷基復(fù)合材料的表面分析中發(fā)揮著重要作用。而掃描電鏡通過(guò)高分辨率的成像能力,可以展示材料表面的微觀特征和納米級(jí)細(xì)節(jié)。研究人員可以觀察到陶瓷基復(fù)合材料中不同組分的分布情況。

其次,掃描電鏡還可以用于研究陶瓷基復(fù)合材料的晶體結(jié)構(gòu)。通過(guò)電子衍射技術(shù),掃描電鏡可以確定材料的晶格結(jié)構(gòu)和晶體取向,進(jìn)一步了解材料內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)和相變過(guò)程。這對(duì)于理解材料的性能、改進(jìn)制備工藝以及探索新的材料體系都具有重要意義。

此外,掃描電鏡還可以進(jìn)行成分分析和能譜檢測(cè)。通過(guò)能譜儀的輔助,可以定量地測(cè)量材料中各個(gè)元素的含量,并判斷元素的化學(xué)狀態(tài)和分布情況。這對(duì)于評(píng)估材料的成分均一性、化學(xué)反應(yīng)和界面反應(yīng)等方面都非常重要,為陶瓷基復(fù)合材料的應(yīng)用提供了有力支持。

關(guān)于陶瓷基符合材料
CMC(連續(xù)纖維增韌陶瓷基復(fù)合材料)是近十余年才開始較大范圍使用的新材料,其能夠克服傳統(tǒng)陶瓷的疲勞特性問(wèn)題,同時(shí)利用陶瓷基復(fù)合材料固有的耐高溫、高硬度性能,在汽車工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力。

掃描電鏡下的陶瓷基復(fù)合材料
圖2掃描電鏡下CMC-SiC 纖維結(jié)構(gòu)圖
圖2掃描電鏡下CMC-SiC 纖維結(jié)構(gòu)圖

 
從掃描電鏡拍下的照片中可以看到CMC-SiC 中纖維單絲表面的均勻納米尺度界面層是實(shí)現(xiàn)材料強(qiáng)韌化的關(guān)鍵,構(gòu)成了連續(xù)纖維增韌陶瓷基復(fù)合材料特有的力學(xué)性能特征,使 CMC-SiC具有類似金屬的斷裂行為,對(duì)裂紋不敏感,不發(fā)生災(zāi)難性損耗。
 
圖3.掃描電鏡下CMC-SiC 材料中的裂紋偏轉(zhuǎn)現(xiàn)象
圖3.掃描電鏡下CMC-SiC 材料中的裂紋偏轉(zhuǎn)現(xiàn)象

 
CMC-SiC 常用在高推重比航空發(fā)動(dòng)機(jī)的噴嘴和燃燒室,可顯著減重,提高推力室壓力和壽命,同時(shí)減少冷卻劑量,實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的小型化和輕量化。CMC-SiC 的高溫力學(xué)性能優(yōu)異,氧化物的抗環(huán)境腐蝕性能更好,因此,SiC 材料是耐高溫 CMC 基體的基本組成,而氧化物是長(zhǎng)壽命 CMC-SiC 的抗環(huán)境涂層的有效成分。利用飛納掃描電鏡 EDS 成分分析可以對(duì) CMC 中微區(qū)的成分進(jìn)行研究,分析不同的組成體系對(duì)其性能的影響。
 
圖4掃描電鏡下CMC-SiC 中不同區(qū)域成分分析
圖4掃描電鏡下CMC-SiC 中不同區(qū)域成分分析
 
CMC-SiC 中基體和纖維都是 SiC 材料,二者熱膨脹系數(shù)匹配,熱應(yīng)力很小,物理相容性、化學(xué)相容性好。但由于兩者均為 SiC 陶瓷,二者間存在較強(qiáng)的互擴(kuò)散作用,導(dǎo)致纖維和基體間結(jié)合力過(guò)強(qiáng),不能充分發(fā)揮纖維的增韌作用。因此,應(yīng)用中常在纖維-基材間設(shè)計(jì)一層界面層以提高復(fù)合材料的斷裂韌性。常見的界面層材料為 PyC(裂解碳)層和 BN 層,其與基材和纖維熱膨脹系數(shù)匹配、有效傳遞載荷、增強(qiáng)復(fù)合材料韌性。如下圖所示為 CMC-SiC 中的界面層觀察,在使用離子研磨儀進(jìn)行離子研磨后,利用臺(tái)式掃描電鏡可以清楚的觀察到界面層的存在并測(cè)量其厚度。
 
掃描電鏡觀察CMC-SiC 中的界面層
掃描電鏡觀察CMC-SiC 中的界面層
來(lái)源:復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司
聯(lián)系電話:400-857-8882
E-mail:cici.yang@phenom-china.com

用戶名: 密碼: 匿名 快速注冊(cè) 忘記密碼
評(píng)論只代表網(wǎng)友觀點(diǎn),不代表本站觀點(diǎn)。 請(qǐng)輸入驗(yàn)證碼: 8795
Copyright(C) 1998-2024 生物器材網(wǎng) 電話:021-64166852;13621656896 E-mail:info@bio-equip.com